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MT29F4G01AAADDHC 4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ

プロダクト細部

起源の場所: TSOP

ブランド名: Micron Technology

証明: ROHS

モデル番号: MT29F4G01AAADDHC

支払及び船積みの言葉

最小注文数量: 1pcs

価格: Negotiated

パッケージの詳細: Tray/REEL

受渡し時間: 3-15days

標準的: 8000

支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力: 1000PCS

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ハイライト:

4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ

,

TSOP否定論履積のフラッシュ・メモリ

,

MT29F4G01AAADDHC

製造業者プロダクト数:
MT29F4G01AAADDHC
記憶タイプ:
否定論履積のフラッシュ・メモリ
記憶容量:
4Gb
記憶速度:
N/A
供給電圧:
2.7Vへの3.6V
パッケージのタイプ:
TSOP
製造業者プロダクト数:
MT29F4G01AAADDHC
記憶タイプ:
否定論履積のフラッシュ・メモリ
記憶容量:
4Gb
記憶速度:
N/A
供給電圧:
2.7Vへの3.6V
パッケージのタイプ:
TSOP
MT29F4G01AAADDHC 4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ

MT29F4G01AAADDHC - 4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ

 

 

導入:

MT29F4G01AAADDHCはいろいろ計算し、貯蔵集中的な適用の使用のために設計されている4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールである。それはそれに要求の記憶適用のための理想的な解決をする性能、信頼性および両立性のhigh-levelを特色にする。MT29F4G01AAADDHCはまたモバイル機器および他のパワーに敏感な適用の使用にそれを適したようにする高速データ転送率および低い電力の消費を提供する。

 

適用:

ソリッド ステート ドライブ、USBの抜け目がないドライブ、メモリ・カード、埋め込まれたシステム

 

製品特質:

ブランド マイクロン・テクノロジ
記憶タイプ 否定論履積のフラッシュ・メモリ
記憶容量 4GB
記憶速度 N/A
供給電圧 2.7Vへの3.6V
パッケージのタイプ TSOP

 

より多くのプロダクト:

  1. SDINBDG4-32G - 32GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
  2. H27U1G8F2BTR-BC - 128GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
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  5. H27UCG8T2ETR-BC - 256GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
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  7. SDINBDG4-64G - 64GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
  8. H27UCG8T2BTR-BC - 128GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
  9. S34ML02G100TFI000 - 1GB否定論履積のフラッシュ・メモリ
  10. THGBMFG8C4LBAIR - 128GB否定論履積のフラッシュ・メモリ

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FAQ:

Q1:記憶タイプのMT29F4G01AAADDHCは何であるか。

:MT29F4G01AAADDHCは否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールである。

Q2:MT29F4G01AAADDHCの記憶速度は何であるか。

:MT29F4G01AAADDHCに特定の記憶速度がない。

Q3:MT29F4G01AAADDHCの供給電圧は何であるか。

:MT29F4G01AAADDHCは2.7Vに3.6Vの供給電圧を作動させる。

Q4:MT29F4G01AAADDHCの記憶容量は何であるか。

:MT29F4G01AAADDHCに4GBの記憶容量がある。

Q5:パッケージのタイプのMT29F4G01AAADDHCは何であるか。

:MT29F4G01AAADDHCはTSOPのパッケージ入って来。

Q6:どのような装置のために適したMT29F4G01AAADDHCはあるか。

:MT29F4G01AAADDHCは貯蔵集中的な適用のためのソリッド ステート ドライブ、USBの抜け目がないドライブ、メモリ・カードおよび埋め込まれたシステムの使用のために適している。